工作职责：

1. 负责功率器件GaN HEMT研发；

2. 负责器件版图布局设计实现、器件仿真；

3. 负责器件研发项目管理；

4. 负责器件性能测试和可靠性测试；

5. 及时解决开发过程中的相关设计、工艺、参数、可靠性等问题；

6. 对已量产的产品提供问题分析与技术支持。

任职要求： 

1. 硕士、博士，微电子、半导体器件与物理等相关专业；

2. 具有扎实的半导体物理和半导体器件理论基础；

3. 具有扎实的化合物半导体器件物理理论知识；

4. 熟悉MOS/HEMT的器件原理；

5. 熟悉半导体工艺，熟悉GaN外延和器件工艺；

6. 熟练使用常见器件仿真和版图布局软件。